問 題
電気抵抗率に関する次の記述の ㋐、㋑、㋒ に当てはまるものの組合せとして最も妥当なのはどれか。
「真性半導体では、温度が上がると電気抵抗率は ㋐ する。高純度のシリコン (Si) にヒ素 (As) をわずかに添加した不純物半導体では、ヒ素 (As) の割合が増加すると電気抵抗率は ㋑ する。金属では、温度が上がると電気抵抗率は ㋒ する。」
正解 (4)
解 説
【温度と抵抗率の関係】
一般に、金属は高温ほど電気抵抗率が高くなり、半導体では高温ほど電気抵抗率が小さくなります。
従って
㋐ は「減少」です。㋒ が「増加」です。
ちなみに ㋑ ですが
真性半導体は、添加物を加えていない純粋な半導体のことです。この状態では、ほぼ絶縁体です。不純物をわずかに加えることで、電気伝導率が上昇します。いいかえれば、電気抵抗率は減少します。
以上より、正解は 4 です。
類題 H30no29 真性半導体
https://yaku-tik.com/koumuin/h30-denjyou-29/
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