問 題
半導体素子に関する次の記述の㋐、㋑、㋒に当てはまるものの組合せとして最も妥当なのはどれか。
・㋐は、GaAs、GaP などを材料とする pn 接合に順方向電流を流すと自然放出によって発光する素子であり、照明や表示器などに用いられる。
・㋑は、pnpn の 4 層の接合構造を有し、アノードーカソード間に流れる電流をゲートーカソード間に流れる電流により制御する素子であり、スイッチング素子や整流素子として用いられる。
・㋒は、pn 接合構造を有し、ドレインーソース間に流れる電流をゲートーソース間に加えた電圧により制御する素子であり、スイッチング素子や増幅素子として用いられる。
/ | ㋐ | ㋑ | ㋒ |
1. | フォトダイオード | 逆阻止三端子サイリスタ | 接合形電界効果トランジスタ |
2. | フォトダイオード | サーミスタ | バイポーラトランジスタ |
3. | レーザダイオード | 接合形電界効果トランジスタ | 逆阻止三端子サイリスタ |
4. | 発光ダイオード | 逆阻止三端子サイリスタ | 接合形電界効果トランジスタ |
5. | 発光ダイオード | サーミスタ | バイポーラトランジスタ |
正解 (4)
解 説
㋐ですが
まずダイオードは、P型N型の半導体をつなげた素子です。発光するのは発光ダイオード(LED: light emitting diode)です。ちなみにフォトダイオードは、光を感知すると流れる電流の量が変化するダイオードです。レーザダイオードは、反射鏡によって光を増幅して発光する LED のことです。従って、正解は 4 or 5 です。
㋑ですが
サーミスタは、「サーモ」という部分から連想したいところで、温度に関連する部品です。具体的には、温度により抵抗値が変わる電子部品です。トランジスタは、増幅作用を行う半導体素子の総称です。
以上より、正解は 4 です。
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